Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RFN10T2D · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode5ATempérature de jonction en fonctionnement150°C (Max) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAT20JFILM · Composants électroniquesFabricantSTMicroelectronicsCourant de fuite inverse à Vr12 µA @ 15 VTension directe maximale (Vf) à If620 MV @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UGF2005G · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode20ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.ESH2PB-M3/84A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If980 MV @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FYPF1010DNTU · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant redressé moyen (Io) / diode10ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.ER1Q-LTP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 1200 VTension directe maximale (Vf) à If1.85 V @ 1 A Demander un devis
STF40100C · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°CTension directe maximale (Vf) à If750 MV @ 20 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.V8PAM10S-M3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr180 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If840 MV @ 8 A Demander un devis
MBRF30150CT · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°CTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 15 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RB500VM-40TE-17 · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 10 VTension directe maximale (Vf) à If450 MV @ 10 MA Demander un devis
STTH1002CB-TR · Composants électroniquesFabricantSTMicroelectronicsCourant redressé moyen (Io) / diode8ATempérature de jonction en fonctionnement175°C (Max) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.S1MSWFMQ-7 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 1000 VTension directe maximale (Vf) à If1.1 V @ 1 A Demander un devis
RBQ10BGE65ATL · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode10ATempérature de jonction en fonctionnement150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SS210-LTP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr500 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If850 MV @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.ST30150C · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°CTension directe maximale (Vf) à If1.36 V @ 15 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.ZHCS400TA · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr40 µA @ 30 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 400 MA Demander un devis
RB088NS-30FHTL · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode10ATempérature de jonction en fonctionnement150°C (Max) Demander un devis
CS3K-E3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 800 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 3 A Demander un devis