M1MA142WKT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
Composants électroniques
MBR120ESFT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
MMBD2004S-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MBRS130T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
PMBD7100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
NRVUS110VT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
1SS392 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
MURS210T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 940 MV @ 2 A
GSXD160A010S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 160A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MBRA160T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 510 MV @ 1 A
HN1D03FU · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
SS26T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 2 A
VS-VSKD236/16PBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 115A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MBRA140T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
BAV99RWT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MBRS120T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
SBR3A40SAQ-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 3 A
STTH9012TV1 · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 45A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)