GSD2004S-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
Composants électroniques
BAT85 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
BAS40CDW_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
GSD2004C-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N4454UR/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
BAS70-04Q-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
B0540WHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 500 MA
GSD2004A-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
CUS10S40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 400 MV @ 500 MA
BAV99HDW-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
VS-EPU3006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 30 A
IDK08G65C5XTMA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 8 A
BAV70W-7-F-52 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
BAW56-G · Composants électroniques
- Fabricant
- Comchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS85 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.3 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
BAW56TB_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SDT05S60XK · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 5 A
GSD2004A-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)