Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SBR3A40SAF-13 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr400 µA @ 40 VTension directe maximale (Vf) à If530 MV @ 3 A Demander un devis
1N4148WQ-7-F-52 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 150 MA Demander un devis
MBRD660CT-TP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant redressé moyen (Io) / diode6ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.VS-4CSH02-M3/87A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode2ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 175°C Demander un devis
S2J · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 2 A Demander un devis
1N4148WS-G · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 150 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SB630CT_T0_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant redressé moyen (Io) / diode6ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.US1G-E3/5AT · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 1 A Demander un devis
MBRD1545CTL · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°CTension directe maximale (Vf) à If600 MV @ 7.5 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PMEG1030EJ · Composants électroniquesFabricantNexperia USA Inc.Courant de fuite inverse à Vr3 MA @ 10 VTension directe maximale (Vf) à If530 MV @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SS6P4CHM3_A/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode3ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UF100G_R2_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr1 µA @ 50 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 1 A Demander un devis
CMPSH-3CG · Composants électroniquesFabricantCentral Semiconductor CorpCourant redressé moyen (Io) / diode100mA (DC)Température de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
SBRF1060CTL · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°CTension directe maximale (Vf) à If650 MV @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.S1JB · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.1 V @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RS1J-E3/61T · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.3 V @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SB650CT_T0_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant redressé moyen (Io) / diode6ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.S07M-GS08 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 1000 VTension directe maximale (Vf) à If1.1 V @ 1 A Demander un devis