BYV26E-TAP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 1 A
Composants électroniques
VBT1060C-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SF1200-TAP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.4 V @ 1 A
VBT2060G-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SF22G-AP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
RBR10BM60AFHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
TSSW3U45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 3 A
MBR3040FCT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V15K150C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3.2A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SD101BW-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 15 MA
PMEG100V060ELPDZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 450 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 6 A
SB3020CT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
RS1MFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
V10PWL45CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
BYW54-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
MBR3060CT-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 15 A
S1JFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
SDURF3030CTR · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C