· Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA
Composants électroniques
VS-MBRB1545CTR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SRT110H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 1 A
RB055LAM-30TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 3 A
VF20M120C-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
HER1607GH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 16A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
ES1DLWH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
BR25_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
VS-MBR2035CT-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
US1J-M3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
VBT1080C-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RS1GFL · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1 A
STPS2020 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RS1G-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
VFT3060G-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N4937 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
HER1608GH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 16A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SDM1100LP-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A