V2F6-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 480 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 2 A
Composants électroniques
UG06B · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 600 MA
MBRS30H45CTH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
S1GT-04LC-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MBRS2560CTH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 25A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S3J · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 3 A
VS-MBRB2545CTR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS110LH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 1 A
FEPF16JT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MPG06K-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MBRBL20U100CT-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SS1FL4-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
VS-30CTQ080S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S2K-E3/5BT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBR30L45CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SE20PJ-M3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 2 A
FML-23S · Composants électroniques
- Fabricant
- Sanken Electric USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
S1GHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A