FEPB16ATHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Composants électroniques
SEG10FGHM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 700 MA
VIT30L60C-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
UF1005-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
ES1C_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
BYV74W-400 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SS1FN6-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
FEPB16GTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FR302GP-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
VBT4060C-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
VS-MBRB3030CTLL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
ESH1DFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 940 MV @ 1 A
VB40100G-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RB751V-40HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 370 MV @ 1 MA
MBR3080FCTE3/TU · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
SK14BH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
RB551V-30HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 500 MA
DURB2020CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C