Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.VBT6045CBP-M3/8W · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode30ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
SBM360VBF_R1_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr220 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FEP30BP-E3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
BAT60BE6359HTMA1 · Composants électroniquesFabricantInfineon TechnologiesCourant de fuite inverse à Vr25 µA @ 8 VTension directe maximale (Vf) à If600 MV @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.VB40170C-M3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode20ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SE30AFGHM3/6A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1.1 V @ 3 A Demander un devis
MBRBL40120CT-TP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant redressé moyen (Io) / diode40ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°C Demander un devis
ES2LJH · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.7 V @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SD241P-E3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
MER3DMB-AU_R2_006A1 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr1 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If950 MV @ 3 A Demander un devis
VFT6045C-M3/4W · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode30ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
VS-2EYH01-M3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr2 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If930 MV @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UG2004PT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode20ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SR34_R1_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr200 µA @ 40 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 3 A Demander un devis
IDP30C65D2XKSA1 · Composants électroniquesFabricantInfineon TechnologiesCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.B230LA-M3/5AT · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr500 µA @ 30 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FMG-24R · Composants électroniquesFabricantSanken Electric USA Inc.Courant redressé moyen (Io) / diode8ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
VS-3EAH02HM3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr2 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If960 MV @ 3 A Demander un devis