SE20DTLGHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 20 A
Composants électroniques
JANTXV1N4148UBD/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
JAN1N4148UBCA/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
SBR5E45P5-13D · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 280 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 5 A
WND10P08YQ · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 10 A
63CNQ100SM · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
SSB44H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 4 A
APT2X60D100J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 55A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 60 A
JANTXV1N4148UBCCC · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 1A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
WND35P12BJ · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 35 A
JAN1N4148UBCD/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 1A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
SSB43LHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 600 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 4 A
GSXD030A010S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SE20DLGHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 20 A
69CNQ150SL · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
VS-6EWX06FN-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.1 V @ 6 A
GSXD060A018S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
UF4005-E3/53 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A