VS-VSKC196/12PBF · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode97.5ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
S5DHE3_A/H · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 5 A Demander un devis
FST10040 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
MUR310S · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 100 VTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit. · Composants électroniquesFabricantWAGO CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode5.1mATempérature de jonction en fonctionnement-25°C ~ 40°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PMEG4002ESFYL · Composants électroniquesFabricantNexperia USA Inc.Courant de fuite inverse à Vr6.5 µA @ 40 VTension directe maximale (Vf) à If600 MV @ 200 MA Demander un devis
300CMQ035 · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsCourant redressé moyen (Io) / diode150ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
ES2DA · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If950 MV @ 2 A Demander un devis
ESH3B · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 100 VTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
FST10060 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
BAS40L-G3-08 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 40 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 40 MA Demander un devis
FST100100 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATension directe maximale (Vf) à If840 MV @ 100 A Demander un devis
MUR305SB · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If900 MV @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBRT12035R · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode60ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAV20WS-E3-18 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr100 NA @ 150 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 200 MA Demander un devis
FST10030 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATension directe maximale (Vf) à If650 MV @ 100 A Demander un devis
MUR340SB · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MSRT25080A · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode250A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis