SS8PH9HM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 8 A
Composants électroniques
RBS2LAM40ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 2 A
MURTA500120R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
UH3BHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 3 A
VS-VSKC320-16PBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MURTA300120 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBRT3M60P1-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 590 MV @ 3 A
MURT40020R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SS22L · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2 A
MURTA50060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RS1JFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
VS-VSKC270-12PBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 135A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SS26L · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
V3P6LHM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 900 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1.5 A
MURTA20060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SSL23 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 410 MV @ 2 A
MURT40040 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V2FM10HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 55 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 830 MV @ 2 A