BAT54CW · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
Composants électroniques
STTH110 · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
BAV99W · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PMEG3020EPASX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 2 A
BAT54A · Composants électroniques
- Fabricant
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
6A8G-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 6 A
BAV99L · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
- Tension inverse CC maximale (Vr)
- 100 V
PMEG6030EP/8X · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 3 A
DD250S65K3C1NPSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 125°C
ES5J-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 5 A
DD250S65K3NOSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 125°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.5 V @ 250 A
BYR5D-1200PJ · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 5 A
MSCDC450A120AG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 450A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
VS-2EYH02HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 2 A
DD175N32KHPSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 223A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
V10P8-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 10 A
JANTXV1N7037CCU1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 35A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
RGL34J-E3/98 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA