G3S12030B · Composants électroniques
- Fabricant
- Global Power Technology-GPT
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 42A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
Composants électroniques
S2JFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
SK2050CD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
RB450FT106 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 10 MA
G3S06508B · Composants électroniques
- Fabricant
- Global Power Technology-GPT
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 14A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
SD840YS_S2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 8 A
S16DSD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
BD890YS_S2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 8 A
DBA200WA60 · Composants électroniques
- Fabricant
- SanRex Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
GF1B-E3/5CA · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
S16GSD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
1N5819 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
G3S12010BM · Composants électroniques
- Fabricant
- Global Power Technology-GPT
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 19.8A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
BD850YS_L2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 8 A
S16ASD2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
RBR1VWM30ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 1 A
BD850YS_S2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 8 A
SK3045CD2-3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C