CD6857 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 16 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 35 MA
Composants électroniques
MURB1620CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
V20PW10HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 860 MV @ 20 A
52CPQ030 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 25A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 5 A
15CTQ035S · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V30DL45BP-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 30 A
401CNQ045 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
1N4148UR-1E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
HFA60MC60C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50A (DC)
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 30 A
HS5F · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 5 A
HFA70NC60CSL · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 56A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SF2006PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 20 A
MBRB2080CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
V30DL45-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 30 A
HFA80NK40C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 89A (DC)
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 80 A
MBRD320T4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 3 A
HFA30TA60CS · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C