MMBD101LT1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Boîtier
- Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT)
Composants électroniques
CCS15S40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1.5 A
87CNQ020A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBLF10L25-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 460 MV @ 10 A
MMBD2837LT1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RS1B-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
BAV23C-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
VS-ETH3106FP-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.15 V @ 30 A
MMBD4448HTM-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
S1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MMBD3004BRM-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
GI1404-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
10BQ030 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 1 A
87CNQ020ASL · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STPS5045SG-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 360 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 610 MV @ 50 A
MBRD660CTTRL · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
BAT165AX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 8 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 740 MV @ 750 MA
SD103ATW-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 175mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C