TLE2072ACD · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 45 V/µs
Composants électroniques
V20150SG-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 20 A
MBRS16100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 16 A
AD8691WAUJZ-R7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Analog Devices
- Courant d’alimentation
- 1.05 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
VF20150SG-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 20 A
AD822ARMZ-REEL · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 3 V/µs
MBRS1660 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 16 A
LMV2011MAX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 930 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 4 PA
VI20150SG-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 20 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 3 V/µs
RFV8TG6SGC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.8 V @ 8 A
NCV2904DR2G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant d’alimentation
- 1.2 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 250 NA
VI20120S-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.12 V @ 20 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.11 V/µs
VS-6TQ035HN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 6 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 MA @ 15 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 220 MV @ 1 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 12 V/µs
VB20120S-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.12 V @ 20 A