JANTX1N5554 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 9 A
Composants électroniques
BYQ28EB-100HE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
ES1D-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
UB10BCT-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5802 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
MBRB25H45CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
SS16-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 1 A
STPS40SM100CG · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
RS1A · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
SS8P3CLHM3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RFU02VSM8STR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3 V @ 200 MA
MBRB2050CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS1H10HE3_B/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 860 MV @ 2 A
MBRB2560CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
FFSB2065BDN-F085 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 10 A
MBRB15H60CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
UF4005-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
DSEE8-08CC · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C