RB050LAM-60TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 3 A
Composants électroniques
FEP16GTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 16A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CD1408-FU1400 · Composants électroniques
- Fabricant
- Bourns Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1 A
BYQ28E-150HE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
S215FA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
UGB8JCTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CRH01(TE85L · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 980 MV @ 1 A
FEPF6BT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RB050LAM-40TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 3 A
FEP16BTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 16A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MURS120T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
VSSA210-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
FEPF16DT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CMOD2004 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
UGB18DCTHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
UH4PCC-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 2A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
EGP10D · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
BYT28-400HE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C