PMEG40T50EPX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 41 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 525 MV @ 5 A
Composants électroniques
UB10DCT-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 5 A
MBRF3045CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
VS-70HF100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 220 A
RFN2LAM4STFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1.5 A
SBLF25L30CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
DST2045AX · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.2 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 20 A
U30CCT-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBLB1640CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
VS-70HFR80 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 MA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 220 A
SBLF25L20CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STPS1L60A · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 570 MV @ 1 A
1N645-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 225 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
MBRF2545CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SBLB1040CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
VS-80APF12-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 80 A
SBLB25L20CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C