Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.V3PM6HM3/H · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr200 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 1.5 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UGF8JCT-E3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode4ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
MSCD100-08 · Composants électroniquesFabricantMicrosemi CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode100ATension directe maximale (Vf) à If1.35 V @ 300 A Demander un devis
BAS516-TP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 150 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.STPS5H100AF · Composants électroniquesFabricantSTMicroelectronicsCourant de fuite inverse à Vr3.5 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If760 MV @ 5 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UGB10CCTHE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode5ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
STPS4030CT · Composants électroniquesFabricantSTMicroelectronicsCourant redressé moyen (Io) / diode20ATempérature de jonction en fonctionnement150°C (Max) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N4148W_R1_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr2.5 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 150 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UG8JCTHE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode4ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
RF101LAM4STFTR · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SK515B · Composants électroniquesFabricantSMC Diode SolutionsCourant de fuite inverse à Vr1 MA @ 150 VTension directe maximale (Vf) à If930 MV @ 5 A Demander un devis
UGF18DCT-E3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode18ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
RBR5LAM40ATFTR · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr200 µA @ 40 VTempérature de jonction en fonctionnement150°C (Max) Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SBT350-06J · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant redressé moyen (Io) / diode35ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAS19LT1G · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr100 NA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 200 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SBT250-04J · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant redressé moyen (Io) / diode25ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UG18BCT-E3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode18ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
S5J-E3/57T · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 5 A Demander un devis