1N4001-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
Composants électroniques
BAS70SV · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBR10100 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 10 A
FST8345M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBR1045 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 10 A
CPT60035 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 300 A
1N6663US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
SR20150-G · Composants électroniques
- Fabricant
- Comchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CTS05S40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 350 MV @ 100 MA
SBT80-04Y-DL-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
TSP12U120S · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 780 MV @ 12 A
MBRB15H35CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
FFSH20120A-F085 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
BAV70T116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N4148W-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
SBT150-04Y-DL-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-15EWX06FNTR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.2 V @ 15 A
APT2X61DC120J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 60 A