PU1JLS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A
Composants électroniques
MURT40060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH3006W · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 30 A
VS-HFA08TB120STRLP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.3 V @ 8 A
1N4936RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
FST8340M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
IDW40E65D2FKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.3 V @ 40 A
NXPS20S100CX · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
1N4934RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
MURT30005R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PU1JFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A
FST83100M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-47CTQ020STRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PMEG60T10ELXD-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 NA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 640 MV @ 1 A
V40170PW-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
RB501VM-40TE-17 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 100 MA
VS-40CTQ045STRRPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH30R04D · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.45 V @ 30 A