VS-MBR3045CT-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
Composants électroniques
PUAD4BH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 4 A
VIT1060CHM3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS86-GS08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 100 MA
VS-HFA16TA60C-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 8 A
CUHS15F40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 1.5 A
STPSC16H065CT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
MBRAD8150H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
VS-MBR2035CT-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
VS-2EQH02HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 2 A
VI40100CHM3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
PMEG3005ET · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 500 MA
VS-60CTQ040-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
RGP15D · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1.5 A
VS-48CTQ060STRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RB751V-40-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 370 MV @ 1 MA
SE10PD-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1 A
VS-61CTQ040-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C