SBRT15U100SP5-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 15 A
Composants électroniques
1N4531UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Boîtier
- Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT)
CMUSH2-4S · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS16FA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 1 A
VT2045CHM3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SBR8A60P5-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 8 A
MBRT30035L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6248 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 16 A
NTST60100CTG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RF201LAM2STR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 2 A
CMPSH05-4C · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 500mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
VS-4EWH02FNTR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 4 A
VS-STPS40L15CT-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
DSC08C065FP · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 8 A
MBRT30020L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBR2045CT-LJ-01 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PNE20020ERX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 980 MV @ 2 A
RS3J-E3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2.5 A