BYC10-600 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.9 V @ 10 A
Composants électroniques
MBRT30030L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBR02M30LP-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 610 MV @ 200 MA
SBRT30U45CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5811US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
MBRF200200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-10TQ045-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 670 MV @ 20 A
MBRT120150 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1PS70SB82 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 1 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 30 MA
MBR2045CT-G1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N4248US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Boîtier
- Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT)
MBRF200100R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-15ETH06-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 15 A
CMLD6001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS110L · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 1 A
MBR60040CTL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5551US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
MBRF12030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C