NTE6362 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 MA @ 1400 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 180°C
Composants électroniques
MBR20150CT-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SE10PB-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1 A
MBRF60040R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
RB168MM150TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 1 A
MBRTA80040R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6358 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 MA @ 1000 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 180°C
MBRTA60080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RS1KLW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
MBR20100CS2TR-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
PD3S230HQ-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 2 A
MBRF60030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
NTE116-100 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MBRTA80035R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V2FM15HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.46 V @ 2 A
MBRF600200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBYV26C-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 1 A
MBRTA80030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C