MBRS25150CT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode25ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.PMEG100T30ELPX · Composants électroniquesFabricantNexperia USA Inc.Courant de fuite inverse à Vr1.75 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If800 MV @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBRB25H45CTHE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 175°C Demander un devis
TSUP8M45SH · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr200 µA @ 45 VTension directe maximale (Vf) à If600 MV @ 8 A Demander un devis
MBRS1560CT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
1N4148WSQ-7-F-52 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 150 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBR15100CT-E1 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode7.5ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
S3M-E3/57T · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 1000 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 2.5 A Demander un devis
MBRS20H150CT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode20ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
RB058LAM-60TR · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr4 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If640 MV @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBR1060CT-E1 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode5ATempérature de jonction en fonctionnement150°C (Max) Demander un devis
1N914BW · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 100 MA Demander un devis
MBRS1545CT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.V25PL60-M3/86A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr4 MA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If630 MV @ 25 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBRB15H60CTHE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode7.5ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RGF1D-E3/67A · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If1.3 V @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBRB30H35CTHE3_A/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode15ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.GI752-E3/73 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If900 MV @ 6 A Demander un devis