B0540WQ-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 510 MV @ 500 MA
Composants électroniques
UGB15HT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 500 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V3NM103-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 120 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 690 MV @ 3 A
MBR6035PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAV102 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
SBT60100CT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBR18AFC_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 1 A
FESE16AT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
ES1DAL · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
MURHB840CTG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
S1MLS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1.2 A
SBR10150CTFP-JT · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
BAT43WS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
UGF10L08GA · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MB210_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
TRS20N65FB · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
PMEG4005EGWX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 500 MA
BAS581-02V-HG3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 370 MV @ 1 MA