VS-MBRB1635TRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 16 A
Composants électroniques
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Différentiel
- Vitesse de balayage
- 0.55 V/µs
VS-MBRB1635TRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 16 A
AD8206YRZ-REEL · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Type d’amplificateur
- Différentiel
- Vitesse de balayage
- 0.5 V/µs
VS-MBRB1645TRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 16 A
LMV604MTX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 107 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 200 PA
JAN1N4148-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
LMH6703MF/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en courant
- Vitesse de balayage
- 4500 V/µs
GIB1404HE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
GIB1401HE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
MCP6074-E/SL · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.5 V/µs
GIB1403HE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
VS-18TQ045STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 18 A
AD8641AKSZ-REEL7 · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 3 V/µs
GIB1404HE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
GIB1403HE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
AD8651ARZ-REEL7 · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en tension
- Vitesse de balayage
- 41 V/µs
FESB8ATHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A