Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SF2007PTH · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode20A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
V5NM103-M3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr140 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If720 MV @ 5 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAS40BRW-7-F-2477 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode200mATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N5394GP-AP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 300 VTension directe maximale (Vf) à If1.4 V @ 1.5 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.HER1603PT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode16A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N4005G · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAT54SW-13-F-2477 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode200mATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 125°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.EGP10F · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 300 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 1 A Demander un devis
MBR3035CT · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode30A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RL202GP-AP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAS40-05-13-F-2477 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode200mATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°C Demander un devis
SB07-03C-TB-E · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr80 µA @ 15 VTension directe maximale (Vf) à If550 MV @ 700 MA Demander un devis
SR2090H · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode20A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RL204GP-AP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAS40DW-4-7-F · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode200mATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°C Demander un devis
SE8D20JHM3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 600 VTension directe maximale (Vf) à If1.1 V @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UGF2007G · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode20A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
1SS307(TE85L · Composants électroniquesFabricantToshiba Semiconductor And StorageCourant de fuite inverse à Vr10 NA @ 30 VTension directe maximale (Vf) à If1.3 V @ 100 MA Demander un devis