RS2KFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2 A
Composants électroniques
V15PM45HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 700 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 15 A
SS1FN6HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
PDU620-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 940 MV @ 6 A
TPAU3J · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.88 V @ 3 A
SE70PJHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 7 A
SS13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
V10P6HM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.9 MA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 590 MV @ 10 A
RF501BM2SFHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 5 A
MCL101B-TR3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 15 MA
V12PM10-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 12 A
S2KFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
BYW86-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 3 A
SE80PWTGHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.12 V @ 8 A
MBRB1545 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 15 A
S2DFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
V15P12-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 15 A
V30K45-01HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 30 A