TSSD20L100SW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 20 A
Composants électroniques
TLV4112IDGNR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1.57 V/µs
FESB8FTHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 8 A
MAX4080FASA+T · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Type d’amplificateur
- Détection de courant
- Tension de décalage d’entrée
- 100µV
VB30100S-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 910 MV @ 30 A
LMV862MM/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 20 V/µs
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
RFU10TF6S · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.8 V @ 10 A
OPA376AIDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2 V/µs
VS-30ETH06-1-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.6 V @ 30 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en tension
- Vitesse de balayage
- 70 V/µs
TSSD20L60SW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 660 MV @ 20 A
BYC20-600 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.9 V @ 20 A
OPA334AIDBVR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Dérive nulle
- Vitesse de balayage
- 1.6 V/µs
FMXK-1106S · Composants électroniques
- Fabricant
- Sanken Electric USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 10 A
JAN1N4150-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
OPA2376QDGKRQ1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2 V/µs
VB30100S-M3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 910 MV @ 30 A