MER502FT_T0_00601 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 5 A
Composants électroniques
RB058LAM150TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 3 A
V12PL63HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 450 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 12 A
ESH2D · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 2 A
SBR05U20LPS-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 500 MA
ES2F · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2 A
STTH8R06GY-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.2 V @ 8 A
PMEG150G20ELPX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 2 A
MCP6569-E/ST · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
MBR10200_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 10 A
HS3JB · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
S3J-E3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A
SE20DLJ-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 20 A
MCP6541RT-I/OT · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant d’alimentation
- 1 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
SDT8A60VP5-13D · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 540 MV @ 8 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.9 V @ 1 A
MCP6564-E/SL · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
V12PL63-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 450 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 12 A