VS-3C12ET07S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 65 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 12 A
Composants électroniques
SK520C · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 5 A
BA8391G-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Conditionnement
- Bobine
MPG06J-E3/53 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MAX931CSA+T · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 3.2 UA
- Température minimale de fonctionnement
- 0 C
VS-EPX6007L-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 60 A
LM193H/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 500 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 100 NA
PSDH3060S1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.3 V @ 30 A
AD790JRZ-REEL7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Analog Devices
- Temps de réponse
- 45 Ns
- Courant de polarisation d’entrée
- 5 UA
VS-4EVH01-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 100 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
ESH1C-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 1 A
VS-4EVH02-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 4 A
WNSC6D20650B6J · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 20 A
BYM12-100-E3/97 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
MUR360M_AY_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
SS10PH45HM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 720 MV @ 10 A
LM2901VQPWR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 2 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 250 NA