CMR3U-02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 3 A
Composants électroniques
B130Q-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
S3D03065L · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
RS1ALH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 800 MA
VS-MBRB1635-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 16 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA
US2JA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1.5 A
US2BA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1.5 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA
MB10H100HE3_B/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4.5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 10 A
BAR18FILM · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 410 MV @ 1 MA
RFN10BM6STL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 10 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA
MURS140HE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
BAT83S-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
RB048RSM15STFTL1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3.7 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 8 A
NXPSC04650B6J · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 170 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 4 A
S1KLHR3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A