LL101B-GS18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 15 MA
Composants électroniques
STTH30RQ06L2Y-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.95 V @ 30 A
SVM860V_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 220 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 8 A
NHPM120T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
BAT165-G3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 8 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 540 MV @ 250 MA
SK83L-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 8 A
NXPSC08650X6Q · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 230 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 8 A
STPSC12H065DY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 120 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 12 A
SK53C · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 5 A
MAX9062EBS+TG45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 600 NA
- Courant de polarisation d’entrée
- 15 NA
SR202-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 2 A
FFSM1065B · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
S8JC · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N4934G-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
AU1PJHM3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A
MCP6566UT-E/OT · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Conditionnement
- Bobine
STTH30S06W · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.6 V @ 30 A