VS-20ETS08STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 20 A
Composants électroniques
TSN525M60H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 25 A
LM358AST · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.6 V/µs
OPA743NA/250 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 1.1 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 10 PA
VS-ETU1506S2LHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.9 V @ 15 A
VS-25ETS08STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.14 V @ 25 A
LMV321RILT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.45 V/µs
VS-25ETS12STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.14 V @ 25 A
TSV324IPT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.6 V/µs
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 8 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 780 MV @ 8 A
TSV911AILT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 4.5 V/µs
1N645A/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 225 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
VS-ETU2006S2LHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
TS972IQT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 4 V/µs
VS-25ETS08STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.14 V @ 25 A
JAN1N4148UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 10 MA
TS912IDT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1.3 V/µs