CDLL914 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 50 MA
Composants électroniques
1N4444/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 8 A
SICRB6650 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 6 A
VS-20ATS08-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 20 A
GP3D008A065A · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 8 A
RHRP8120-F102 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.2 V @ 8 A
1N458A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
SF3006PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 15 A
SICRB5650 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 5 A
VS-ETH1506-1HM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.45 V @ 15 A
RHRP3060 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.1 V @ 30 A
1N4446 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 20 MA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 8 A
VS-C4PU6006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 30 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 5 A
VS-8EWF12STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 8 A
VS-20ETF04-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A