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JANS1N5622/TR
JANS1N5622/TR · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Microchip Technology
- Référence:
- JANS1N5622/TR
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 500 NA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.3 V @ 3 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | Militaire, MIL-PRF-19500/427 |
| Fabricant | Microchip Technology |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 500 NA @ 1000 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.3 V @ 3 A |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 2 µs |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 200°C |
| Courant redressé moyen (Io) | 1A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | A, axial |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel


