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CD649
CD649 · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Microchip Technology
- Référence:
- CD649
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 50 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1 V @ 100 MA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Microchip Technology |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 50 NA @ 600 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1 V @ 100 MA |
| Capacité à Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 720 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 400mA |
| Vitesse | Petit signal =< 200mA (Io), toute vitesse |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Supplier Device Package | Die |
|---|
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel