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V30K202-M3/I
V30K202-M3/I · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- V30K202-M3/I
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 150 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.04 V @ 30 A
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Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | Automobile, AEC-Q101 |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 150 µA @ 200 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.04 V @ 30 A |
| Capacité à Vr, F | 1250pF @ 4V, 1MHz |
| Technologie | Schottky |
| Température de jonction en fonctionnement | -40°C ~ 165°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 200 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 3.4A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Supplier Device Package | FlatPAK (5x6) |
|---|
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel


