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MSE1PGHM3/I
MSE1PGHM3/I · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- MSE1PGHM3/I
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.1 V @ 1 A
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Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | Automobile, AEC-Q101 |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 1 µA @ 400 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.1 V @ 1 A |
| Capacité à Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 780 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 400 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 1A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Supplier Device Package | MicroSMP (DO-219AD) |
|---|
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel