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NTS260ESFT3G
NTS260ESFT3G · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Onsemi
- Référence:
- NTS260ESFT3G
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 12 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 650 MV @ 2 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | Automobile, AEC-Q101 |
| Fabricant | Onsemi |
| Référence de base | NTS260 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 12 µA @ 60 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 650 MV @ 2 A |
| Technologie | Schottky |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 60 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 2A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOD-123FL |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel