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NRVBM120ET1G
NRVBM120ET1G · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Onsemi
- Référence:
- NRVBM120ET1G
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 500 NA @ 5 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 595 MV @ 2 A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | POWERMITE® |
| Fabricant | Onsemi |
| Référence de base | NRVBM120 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 500 NA @ 5 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 595 MV @ 2 A |
| Technologie | Schottky |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 20 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 1A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Supplier Device Package | Powermite |
|---|
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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Composants sélectionnés
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel