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S8G-E3/I
S8G-E3/I · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- S8G-E3/I
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 975 MV @ 8 A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | S8G |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 10 µA @ 400 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 975 MV @ 8 A |
| Capacité à Vr, F | 72pF @ 4V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 3.6 µs |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 400 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 1.6A |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | DO-214AB (SMC) |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Speed | Standard Recovery > 500ns, > 1A (Io) |
|---|
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel