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SMMBD770T1G
SMMBD770T1G · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Onsemi
- Référence:
- SMMBD770T1G
- Capacité à Vr, F:
- 1pF @ 20V, 1MHz
- Température de fonctionnement:
- -55°C ~ 125°C (TJ)
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Diodes Diodes RF |
| Fabricant | Onsemi |
| Référence de base | SMMBD770 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Capacité à Vr, F | 1pF @ 20V, 1MHz |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | SC-70-3 (SOT323) |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 4
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Current - Max | 200 MA |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 70V |
| Power Dissipation (Max) | 120 MW |
| Diode Type | Schottky - Single |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel