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GI758
GI758 · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- NTE Electronics, Inc
- Référence:
- GI758
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 950 MV @ 6 A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | NTE Electronics, Inc |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 5 µA @ 800 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 950 MV @ 6 A |
| Capacité à Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 2.5 µs |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 800 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 6A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | axial |
| Boîtier | Sachet |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel