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S2D
S2D · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Onsemi
- Référence:
- S2D
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.15 V @ 2 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Onsemi |
| Référence de base | S2D |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 1 µA @ 200 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.15 V @ 2 A |
| Capacité à Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 2 µs |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 200 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 2A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | DO-214AA (SMB) |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel


