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VS-E5TH3006THN3
VS-E5TH3006THN3 · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- VS-E5TH3006THN3
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.6 V @ 30 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Série | Automobile, AEC-Q101, FRED Pt® |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | VS-E5 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 20 µA @ 600 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.6 V @ 30 A |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 46 Ns |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 600 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 30A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-220AC |
| Boîtier | Tube |
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel